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倒掺杂结构PD SOI器件的抗辐射研究
引用本文:韩本光. 倒掺杂结构PD SOI器件的抗辐射研究[J]. 科学技术与工程, 2009, 9(20)
作者姓名:韩本光
作者单位:西安微电子技术研究所,西安,710075;西安微电子技术研究所,西安,710075;西安微电子技术研究所,西安,710075;西安微电子技术研究所,西安,710075;西安微电子技术研究所,西安,710075
摘    要:为了提高SOI器件抗总剂量能力,采用了倒掺杂结构.研究了倒掺杂结构PD SOI器件抗总剂量能力的增强,介绍了该结构对寄生NPN晶体管的抑制作用.发现倒掺杂结构不仅提高了器件的抗总剂量能力,对器件的抗单粒子能力也有所提高.基于0.35 μm SOI 工艺线,结合ISE TCAD 软件对器件的电学特性进行仿真,比较了流片测试数据和仿真数据.着重研究倒掺杂结构PD SOI器件较常规PD SOI 器件抗SEU能力的改善,并对SOI器件单粒子辐射的电荷收集效应进行了模拟与仿真.

关 键 词:倒掺杂  PD  SOI  单粒子翻转  电荷收集  线性能量转移值
收稿时间:2009-07-02
修稿时间:2009-07-14

Study of Retrograde structure PD SOI device's immunity to radiation
hanbenguang. Study of Retrograde structure PD SOI device's immunity to radiation[J]. Science Technology and Engineering, 2009, 9(20)
Authors:hanbenguang
Abstract:
Keywords:PD  SOI
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