| 倒掺杂结构PD SOI器件的抗辐射研究 |
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| 引用本文： | 韩本光.倒掺杂结构PD SOI器件的抗辐射研究[J].科学技术与工程,2009,9(20). |
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| 作者姓名： | 韩本光 |
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| 作者单位： | 西安微电子技术研究所,西安,710075 |
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| 摘 要： | 为了提高SOI器件抗总剂量能力,采用了倒掺杂结构.研究了倒掺杂结构PD SOI器件抗总剂量能力的增强,介绍了该结构对寄生NPN晶体管的抑制作用.发现倒掺杂结构不仅提高了器件的抗总剂量能力,对器件的抗单粒子能力也有所提高.基于0.35 μm SOI 工艺线,结合ISE TCAD 软件对器件的电学特性进行仿真,比较了流片测试数据和仿真数据.着重研究倒掺杂结构PD SOI器件较常规PD SOI 器件抗SEU能力的改善,并对SOI器件单粒子辐射的电荷收集效应进行了模拟与仿真.
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| 关 键 词： | 倒掺杂 单粒子翻转 电荷收集 线性能量转移值 |
| 收稿时间： | 7/2/2009 11:26:58 PM |
| 修稿时间： | 2009/7/14 0:00:00 |
Study of Retrograde structure PD SOI device's immunity to radiation |
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| hanbenguang.Study of Retrograde structure PD SOI device's immunity to radiation[J].Science Technology and Engineering,2009,9(20). |
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| Authors: | hanbenguang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | PD SOI |
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