| Fe-氧化物薄膜的室温低场正磁电阻和高场负磁电阻 |
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| 引用本文： | 赵昆,邢杰,刘玉资,赵见高,吕惠宾.Fe-氧化物薄膜的室温低场正磁电阻和高场负磁电阻[J].科学通报,2007,52(7):752-755. |
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| 作者姓名： | 赵昆 邢杰 刘玉资 赵见高 吕惠宾 |
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| 作者单位： | 1. 中国石油大学(北京)数理系,北京,102249;中国科学院国际材料物理中心,沈阳,110016
2. 北京凝聚态国家实验室,中国科学院物理研究所,北京,100080 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目（批准号：50672132,60576015）和教育部科学技术研究重点项目（批准号：107020）资助. |
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| 摘 要： | 采用对靶溅射技术制备了多相共存的Fe-氧化物薄膜. X射线衍射和X射线光电子能谱的测试表明薄膜存在有多相: Fe, Fe3O4, γ-Fe2O3, FeO. 高分辨透射电子显微镜结果表明薄膜由柱状颗粒结构组成, 其中核心是未氧化的Fe, 外壳为Fe的氧化物. 在室温时, 低场正磁阻和高场负磁阻共存于Fe-氧化物薄膜中, 利用壳层模型给出了初步解释. 非线性电流-电压曲线和光生伏特效应进一步验证了薄膜的隧穿电导特性.
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| 关 键 词： | 磁电阻 磁性 薄膜
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| 收稿时间： | 2006-11-14 |
| 修稿时间： | 2006-11-142007-02-13 |
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