|
|||||
|
|
| δ-搀杂GaAs/AlAs多量子阱中铍受主远红外吸收研究 | |
| 引用本文： | 郑卫民,M.P.HALSALL,P.HARRISON,M.J.STEER.δ-搀杂GaAs/AlAs多量子阱中铍受主远红外吸收研究[J].中国科学(G辑),2007,37(1):60-65. |
| 作者姓名： | 郑卫民 M.P.HALSALL P.HARRISON M.J.STEER |
| 作者单位： | 1. 山东大学威海分校应用物理系,威海,264209;School of Physics and Astronomy, the University of Manchester, Manchester M60 1QD, U.K. 2. School of Physics and Astronomy, the University of Manchester, Manchester M60 1QD, U.K. 3. School of Electronic and Electrical Engineering, University of Leeds, LS2 9JT, U.K. 4. EPSRC III-V Semiconductor Central Facility, Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, S1 3JD, U.K. |
| 摘 要： | 报道了在GaAs中均匀搀杂和一系列GaAs/AlAs多量子阱中d-搀杂浅受主杂质铍(Be)原子带内跃迁的远红外吸收研究. 在4.2 K温度下实验测量的远红外吸收谱中清楚地观察到了三条主要的浅受主带内跃迁吸收线, 它们分别来源于铍受主基态到它的三个奇宇称激发态的跃迁. 应用变分原理, 我们计算了量子限制铍受主2p激发态到1s基态跃迁能量随量子阱宽度的变化关系. 通过比较发现, 2pz→1s跃迁能量理论计算符合类-D吸收线的实验结果. |
| 关 键 词： | δ-搀杂 GaAs/AlAs多量子阱 远红外吸收 浅受主杂质 |
| 收稿时间： | 2005-12-26 |
| 修稿时间： | 2005-12-062006-06-15 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《中国科学(G辑)》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《中国科学(G辑)》下载免费的PDF全文 | |