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| H2表面处理形成Al/n型6H-SiC欧姆接触及其退化机制 | |
| 作者单位： | 邬瑞彬（四川大学物理系,成都,610064）;候永（四川大学物理系,成都,610064）;洪根深（四川大学物理系,成都,610064）;龚敏（四川大学物理系,成都,610064） |
| 摘 要： | 作者通过氢气表面热处理,获得了具有较好特性的Al/n-6H-SiC欧姆接触.在这种H2处理后的SiC表面,可以直接通过蒸铝(Al)形成欧姆接触,而无须进行退火处理.该方法也适用于低掺杂外延层上的欧姆接触.XPS测试表明,这种欧姆接触是在400℃以上的退化时,由Al及6H-SiC中的Si元素互扩散所致. |
| 关 键 词： | 6H-SiC 欧姆接触 氢化 退火 互扩散 |
| 文章编号： | 0490-6756(2003)03-0488-04 |
| 修稿时间： | 2003年1月7日 |
Study of H2-treatment to Form Al/n-type 6H-SiC Ohmic Contacts and the Annealing Mechanism of the Contacts |
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| Keywords: | |