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衬底温度和退火处理对类金刚石非晶碳膜光电发射谱的影响
引用本文:徐彭寿,方容川. 衬底温度和退火处理对类金刚石非晶碳膜光电发射谱的影响[J]. 中国科学技术大学学报, 1988, 0(4)
作者姓名:徐彭寿  方容川
作者单位:中国科学技术大学同步辐射实验室(徐彭寿),中国科学技术大学物理系(方容川)
摘    要:在硅衬底下,用等离子辉光放电的方法制备了一组衬底温度为20℃、100℃、200℃和280℃的样品。在光电子能谱仪中测量了它们在HeⅠ(21.2eV)激发下的UPS谱。此外还测量了衬底为常温的样品在退火温度为200℃、350℃、500℃、700℃和800℃时的UPS谱。实验结果表明,衬底温度在200℃至280℃时,金刚石成分略有增加,当退火温度低于350℃时,金刚石成分有所增加,但高于350℃后,迅速向石墨方向转化。本文对实验结果进行了讨论,认为氢在其中起了重要作用。

关 键 词:类金刚石非晶碳膜  衬底温度  退火处理  光电发射谱  金刚石结构  石墨结构

The Effect of Deposition Temperature and Annealing on Photoemmission Spectra of Diamond-like Amorphous Carbon Films
Xu Pengshou,Fang Rongchuan Synchrotron Radiation Lab. Dept. of Physics. The Effect of Deposition Temperature and Annealing on Photoemmission Spectra of Diamond-like Amorphous Carbon Films[J]. Journal of University of Science and Technology of China, 1988, 0(4)
Authors:Xu Pengshou  Fang Rongchuan Synchrotron Radiation Lab. Dept. of Physics
Affiliation:Xu Pengshou;Fang Rongchuan Synchrotron Radiation Lab. Dept. of Physics
Abstract:
Keywords:Diamond-like Amorphous Carbon Film  Deposition Temperature Annealing  Photoemmission spectrum  Diamond structure  Graphitic structure
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