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| 共沉淀法制备ZnO压敏陶瓷的烧结缺陷研究 | |
| 作者姓名： | 邢怀民 戴宪起 张瑞英 程国生 张金仓 |
| 作者单位： | 河南师范大学物理系;河南师范大学物理系;河南师范大学物理系;河南师范大学物理系;河南师范大学物理系 |
| 摘 要： | 本文研究了共沉淀法制备ＺｎＯ压敏陶瓷材料烧结缺陷的特点及其对压敏特性的影响．结果表明,晶粒表面所形成的微空洞主要由ＺｎＯ的分解挥发产生,晶界的微空洞则主要是由富集于晶界处的Ｂｉ２Ｏ３分解挥发产生．并对这两类烧结缺陷的形成进行了初步讨论． |
| 关 键 词： | ZnO压敏陶瓷 共沉淀法 烧结缺陷 |
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