| 退火对NiCr薄膜阻值的影响分析 |
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| 引用本文： | 谢生,侯玉文,陈朝,毛陆虹,陈松岩.退火对NiCr薄膜阻值的影响分析[J].华侨大学学报(自然科学版),2009,30(1). |
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| 作者姓名： | 谢生 侯玉文 陈朝 毛陆虹 陈松岩 |
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| 作者单位： | 1. 天津大学,电子信息工程学院,天津,300072
2. 厦门大学,物理系,福建,厦门,361005 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重点项目 |
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| 摘 要： | 采用磁控溅射方法在Si衬底上沉积NiCr薄膜,通过金属剥离技术制备不同膜厚的NiCr薄膜电阻.对不同膜厚样品退火前后阻值的测试表明,磁控溅射沉积NiCr薄膜的晶粒较小,退火前样品阻值较大.当退火温度超过350 ℃后,薄膜中的细小晶粒合并为较大的晶粒,晶粒间界面积减小,电阻率也相应减小;而经过450 ℃退火5 min后,晶粒尺寸趋于饱和,进一步的退火时间对阻值的变化影响不大.
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| 关 键 词： | 镍铬 薄膜电阻 热退火 磁控溅射 |
Analysis the Influence of Annealing on the Resistance of NiCr Thin Film |
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| XIE Sheng,HOU Yu-wen,CHEN Chao,MAO Lu-hong,CHEN Song-yan.Analysis the Influence of Annealing on the Resistance of NiCr Thin Film[J].Journal of Huaqiao University(Natural Science),2009,30(1). |
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| Authors: | XIE Sheng HOU Yu-wen CHEN Chao MAO Lu-hong CHEN Song-yan |
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| Institution: | 1.School of Electronic Information Engineering;Tianjin Unversity;Tianjin 300072;China;2.Department of Physics;Xiamen University;Xiamen 361005;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | NiCr film resistance annealing magnetron sputtering |
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