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单孔毁伤对赋形反射面天线辐射特性的影响
作者姓名:肖疆  徐晓文  董涛
作者单位:北京理工大学,信息科学技术学院电子工程系,北京,100081;北京理工大学,信息科学技术学院电子工程系,北京,100081;北京理工大学,信息科学技术学院电子工程系,北京,100081
摘    要:研究赋形反射面天线的反射面在单孔毁伤条件下的辐射特性,利用基于表面电流积分的物理光学法,对赋形反射面天线的远场辐射特性进行了建模和分析,比较了反射面完好时辐射特性的计算结果和测试值,具有很好的一致性.重点探讨了天线反射面单孔毁伤后远区辐射特性随孔径及孔位置的变化规律,得出毁伤孔径越大或孔越靠近反射面中心位置时,天线的增益下降越多,副瓣电平提高越多的结论。

关 键 词:赋形反射面  物理光学法  辐射方向图  天线毁伤
文章编号:1001-0645(2003)06-0768-04
收稿时间:2002-11-18
修稿时间:2002-11-18
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