| δ掺杂对磁纳米结构中电子输运性质的影响 |
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| 作者姓名： | 赵猛 卢建夺 刘宏玉 熊祖钊 |
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| 作者单位： | 武汉科技大学冶金工业过程系统科学湖北省重点实验室,湖北 武汉,430065,武汉科技大学冶金工业过程系统科学湖北省重点实验室,湖北 武汉,430065,武汉科技大学冶金工业过程系统科学湖北省重点实验室,湖北 武汉,430065,武汉科技大学冶金工业过程系统科学湖北省重点实验室,湖北 武汉,430065 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(11304236)；湖北省自然科学基金资助项目(2014CFA121)；武汉科技大学冶金工业过程系统科学湖北省重点实验室资助项目(Y201701). |
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| 摘 要： | 建立铁磁条调制下含有δ掺杂的磁纳米结构模型,计算不同δ掺杂位置及高度时电子的透射几率及自旋极化率,重点研究了该纳米结构中电子的自旋输运性质。结果表明,该磁纳米结构中可实现较显著的自旋极化效应,且δ掺杂的位置及高度均会对其中的电子输运性质产生影响。因此,理论上可以通过控制δ掺杂的位置及高度来获得实际需要的自旋极化强度,有助于新型自旋电子学器件的开发。
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| 关 键 词： | δ掺杂 磁纳米结构 电子输运 自旋极化 |
| 收稿时间： | 2017-11-07 |
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