| 硅基SiNxOy薄膜的光致发光 |
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| 引用本文： | 廖良生.硅基SiNxOy薄膜的光致发光[J].科学通报,1997,42(17):1900-1901. |
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| 作者姓名： | 廖良生 |
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| 作者单位： | 复旦大学应用表面物理国家重点实验室和李政道物理学综合实验室，复旦大学应用表面物理国家重点实验室和李政道物理学综合实验室，复旦大学应用表面物理国家重点实验室和李政道物理学综合实验室，复旦大学应用表面物理国家重点实验室和李政道物理学综合实验室，长沙电力学院物理系 上海 200433，上海 200433，上海 200433，上海 200433，长沙 410077 |
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| 摘 要： | 为了实现硅基光电子集成,人们正在致力于探求合适的硅基发光材料.由于SiO_2薄膜是硅集成电路中重要的掩蔽膜和介质膜,因此人们正在将它作为一种有前途的发光材料进行研究,并获得了一些有价值的结果众所周知,SiN_xO_y薄膜也是硅集成电路中重要的掩蔽膜和介质膜,由于它比SiO_2薄膜具有更多的优点,并在超大规模集成电路中得到了越来越多的应用,所以研究SiN_xO_y薄膜是否可以成为一种合适的硅基发光材料也就显得十分有意义了.就我们所知,还没有文献报道SiN_xO_y薄膜光致发光(PL)特性的研究.
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| 关 键 词： | 硅基发光材料 二氧化硅 薄膜 光致发光 发光机理 |
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