| 大功率P沟道VDMOS器件设计与工艺仿真 |
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| 作者姓名： | 蒲石 杜林 张得玺 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目（61106106）;中央高校基本科研业务费专项基金（K5051325002,K50511250008）。 |
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| 摘 要： | 作为现代电力电子核心器件之一的P沟道VDMOS(vertical double-diffuse,MOS)器件,一直以来由于应用领域狭窄而并未得到足够的研究。以P沟道VDMOS器件为研究对象,为一款击穿电压超过-200V的P沟道VDMOS设计了有源区的元胞结构及复合耐压终端结构,并开发了一套完整的P沟道VDMOS专用非自对准工艺流程。最后通过仿真得到器件的击穿电压超过-200V,阈值电压为-2.78V,完全满足了设计要求,也为下一步流片提供了有益的参考。
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| 关 键 词： | P沟道VDMOS 击穿电压 导通电阻 阈值电压 |
| 收稿时间： | 2015-03-25 |
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