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| 低阻硅TSV与铜填充TSV热力学特性对比分析 | |
| 作者姓名： | 邓小英 于思齐 王士伟 谢奕 |
| 作者单位： | 1. 北京理工大学 信息与电子学院, 北京 100081; |
| 基金项目： | 国家自然科研基金资助项目（61404008,61574016）;111引智计划项目（B14010）;北京理工大学基础研究基金项目（20130542015） |
| 摘 要： | 对低阻硅TSV以及铜填充TSV的热力学性能通过有限元仿真的方法进行对比分析.低阻硅TSV在绝缘层上方以及低阻硅柱上方的铝层区域中凸起最为显著,且高度分别为82 nm和76 nm;铜填充TSV的凸起位置主要集中在通孔中心铜柱的上方,最大值为150 nm.应力方面,低阻硅TSV在绝缘层两侧的应力最大,且最大值为1 005 MPa;铜填充TSV在中心铜柱外侧应力最大,且最大值为1 227 MPa.另外,两种结构TSV的界面应力都在靠近TSV两端时最大.低阻硅TSV界面应力没有超过400 MPa,而铜填充TSV在靠近其两端时界面应力已经超过800 MPa.综上所述,相比于铜填充TSV,低阻硅TSV具有更高的热力学可靠性. |
| 关 键 词： | 低阻硅TSV 铜填充TSV 凸起 应力 热力学性能 |
| 收稿时间： | 2020-11-08 |
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