| 超薄Al2O3绝缘栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件研究 |
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| 引用本文： | 岳远征,郝跃,冯倩,张进城,马晓华,倪金玉.超薄Al2O3绝缘栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件研究[J].中国科学(E辑),2009,39(2):239-243. |
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| 作者姓名： | 岳远征 郝跃 冯倩 张进城 马晓华 倪金玉 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(“973”计划)(批准号: 51327020301)和国家自然科学基金项目(批准号: 60736033)资助 |
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| 摘 要： | 采用原子层淀积（ALD）,实现超薄（3.5nm）Al2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管（MOS-HEMT）.新型AlGaN/GaN MOS-HEMT器件栅长0.8μm,栅宽60μm,栅压为＋3.0V时最大饱和输出电流达到800mA/mm,最大跨导达到150ms/mm,与同样尺寸的AlGaN/GaNHEMT器件相比,栅泄漏电流比MES结构的HEMT降低两个数量级,开启电压保持在？5.0V.C-V测量表明Al2O3能够与AlGaN形成高质量的Al2O3/AlGaN界面.
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| 关 键 词： | 原子层淀积 超薄Al2O3 AlGaN/GaN MOS-HEMT器件 |
| 收稿时间： | 2007-08-13 |
| 修稿时间： | 2007-11-04 |
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