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| LP—MOVPE生长InGaAs应变超晶格 | |
| 引用本文： | 杨树人,崔敬忠.LP—MOVPE生长InGaAs应变超晶格[J].吉林大学自然科学学报,1994(1):72-75. |
| 作者姓名： | 杨树人 崔敬忠 |
| 摘 要： | 本文探讨了ＬＰ－ＭＯＶＰＥ法在ＧａＡｓ和ＩｎＰ衬底上生长２１个周期的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ和２０个周期的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ两种应变超晶格的条件，并用Ｘ射线衍射分析了这两种应变超晶格，分析观察到三级卫星峰和六级卫星峰。 |
| 关 键 词： | LP－MOVPE 铟镓砷 应变超晶格 |
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