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责任编辑
分类号
杂志ISSN号
一种利用体偏置改善温度特性的电流源
作者姓名:
张仁梓
陈迪平
陈卓俊
作者单位:
湖南大学 物理与微电子科学学院,湖南 长沙 410082
摘 要:
基于130 nm绝缘体上硅工艺技术,针对工艺偏差对器件特性带来的影响,提出了一种可跟随工艺偏差自动调整温度系数的电流源;针对交叉耦合电流镜,引入自适应体偏置电路来改善电路在不同工艺角下的温度系数;仿真结果表明:-40~85℃温度范围内,工艺偏差使得所提电流源温度系数偏离典型工艺角下的值为22%,而无体偏置电流源偏离达100%之多,所提电流源在不同工艺角下平均温度系数为91 ppm/℃,比无体偏置电流源温度系数降低50%。
关 键 词:
绝缘体上硅
电流源
体偏置
温度系数
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