| 氮掺杂碳化硅纳米管电子场发射的第一性原理研究 |
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| 引用本文： | 席彩萍,王六定.氮掺杂碳化硅纳米管电子场发射的第一性原理研究[J].内蒙古师范大学学报(自然科学版),2014(6). |
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| 作者姓名： | 席彩萍 王六定 |
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| 作者单位： | 1. 渭南师范学院 物理与电气工程学院,陕西 渭南,714000
2. 西北工业大学 应用物理系,陕西 西安,710072 |
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| 基金项目： | 陕西省科技厅科研基金资助项目，渭南市科技局项目 |
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| 摘 要： | 运用第一性原理研究了氮掺杂对碳化硅纳米管场发射性能影响.计算结果表明,在外加电场作用下,体系的态密度均向低能端移动,赝能隙及最高占据分子轨道/最低未占据分子轨道能隙减小,且Mulliken电荷在帽端聚集程度增加.态密度、最高占据分子轨道/最低未占据分子轨道能隙及Mulliken电荷分析表明,氮掺杂改善了碳化硅纳米管的场发射性能,且N替代顶层五元环中Si原子体系场发射性能最优.
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| 关 键 词： | 氮掺杂 碳化硅纳米管 电子场发射 第一性原理 |
First-Principles Study of the Electron Fieldemission Properties of Nitrogen-Doped Silicon Carbide Nanotubes |
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| XI Caiping,WANG Liuding.First-Principles Study of the Electron Fieldemission Properties of Nitrogen-Doped Silicon Carbide Nanotubes[J].Journal of Inner Mongolia Normal University(Natural Science Edition),2014(6). |
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| Authors: | XI Caiping WANG Liuding |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | doped nitrogen atom silicon carbide nanotubes electron field emission first-principles |
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