| 铝掺杂对硅基薄膜电致发光的影响 |
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| 引用本文： | 吴雪梅,叶春暖,诸葛兰剑,董业民,汤乃云,俞跃辉,宁兆元,姚伟国.铝掺杂对硅基薄膜电致发光的影响[J].科学通报,2001,46(16):1342-1345. |
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| 作者姓名： | 吴雪梅 叶春暖 诸葛兰剑 董业民 汤乃云 俞跃辉 宁兆元 姚伟国 |
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| 作者单位： | 1. 苏州大学物理系
2. 中国科学院上海冶金研究所 |
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| 基金项目： | 本工作为国家自然科学基金(批准号:69876043)和中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室资助项目. |
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| 摘 要： | 采用双离子束共溅射技术，通过对由Al,Si和SiO2组成的复合靶的溅射制备出掺铝的富硅二氧化硅复合薄膜（AlSiO)。其中铝和硅在薄膜中的含量可通过改变靶面上铝和硅秘占的表面积来调节。在所有的样品中，在可见光范围均观察到仅有一个位于510nm的电致发光（EL）谱峰。实验结果表明，在一定的工艺条件下适量的掺铝可明显地改善EL的启动电压及发光强度。
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| 关 键 词： | 掺铝 硅基薄膜 电致发光 启动电压 发光强度 双离子束共溅射 光电子集成 |
| 收稿时间： | 2001-04-18 |
| 修稿时间： | 2001年4月18日 |
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