二维过渡金属硫族化物异质结的CVD可控生长

二维过渡金属硫族化物（transition metal dichalcogenides, TMDs）因其优异的光电磁特性，在新型半导体器件应用领域中备受关注。由双层TMDs材料耦合构建的具有原子级清晰界面的异质结构，在弥补单一结构不足的同时可展现出全新的物理性质，为未来应用发展，如“后摩尔时代”微电子器件，提供了良好的研究平台。此外，发展大面积性能均一的TMDs异质结的制备方法，如化学气相沉积法（chemical vapour deposition, CVD），对于探索硅基半导体的替代战略与摩尔定律的延续将具有重大研究意义。本文从制备的角度出发，对近年来采用CVD生长TMDs横向异质结、垂直异质结、以及莫尔超晶格相关领域的最新进展进行了简单的介绍与总结，如一步法、两步法、一锅法等，并对其未来前景进行了展望。