| 宽禁带半导体掺杂机制研究进展 |
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| 引用本文： | 邓惠雄,魏苏淮,李树深.宽禁带半导体掺杂机制研究进展[J].科学通报,2023(14):1753-1761. |
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| 作者姓名： | 邓惠雄 魏苏淮 李树深 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所,超晶格国家重点实验室;2. 中国科学院大学材料科学与光电工程中心;3. 北京计算科学研究中心 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61922077,11874347,11991060,12088101,U1930402)资助； |
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| 摘 要： | 随着电子信息技术进入后摩尔时代,人们期望探寻一些新材料、新技术以推进半导体科学技术的发展.作为新一代战略电子材料,宽禁带半导体的技术应用近年来取得了飞速发展.宽禁带半导体的掺杂与缺陷调控是实现其重要应用价值的关键科学基础.本文主要介绍了我们和合作者近期围绕碳化物、氧化物、氮化物宽禁带半导体中掺杂与缺陷机理及性能调控展开的研究工作,具体包括:(1)探究4H-SiC中本征缺陷的电学和动力学性质,解释了实验上4H-SiC的有效氢钝化现象的内在物理机制;(2)研究In2O3中过渡金属元素的掺杂物理性质,提出了过渡金属掺杂的设计原则,并预测过渡金属Zr、Hf和Ta在In2O3中具有优异的n型特性;(3)采用轻合金化法调控Ga2O3材料的价带顶位置,并通过选取合适的受主杂质(如CuGa),有望使(BixGa1–x)2O3合金成为高效的p型掺杂宽禁带半导体(4)...
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| 关 键 词： | 宽禁带半导体 第一性原理计算 缺陷 掺杂机制 非平衡过程 |
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