|
|||||
|
|
| 后摩尔时代第三代半导体材料与器件:应用与进展 | |
| 作者姓名： | 李京波 夏建白 |
| 作者单位： | 1. 浙江大学光电科学与工程学院;2. 中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | <正>随着电子信息技术进入后摩尔时代,人们期望探寻一些新材料、新技术以推进半导体科学技术的进一步发展.作为新一代战略电子材料,宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、功率高、载流子迁移率高、饱和电子速度快、耐高温高压等优异特性,吸引了越来越多的关注.宽禁带半导体材料研究持续推进着LED照明产业的不断发展, |
|
||||||||||||||||
|
||||||||||||||||
|
||||||||||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |