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| 后摩尔时代第三代半导体材料与器件:应用与进展 | |
| 引用本文： | 李京波,夏建白.后摩尔时代第三代半导体材料与器件:应用与进展[J].科学通报,2023(14):1725-1726. |
| 作者姓名： | 李京波 夏建白 |
| 作者单位： | 1. 浙江大学光电科学与工程学院;2. 中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | <正>随着电子信息技术进入后摩尔时代,人们期望探寻一些新材料、新技术以推进半导体科学技术的进一步发展.作为新一代战略电子材料,宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、功率高、载流子迁移率高、饱和电子速度快、耐高温高压等优异特性,吸引了越来越多的关注.宽禁带半导体材料研究持续推进着LED照明产业的不断发展, |