| 钼酸钙晶体中本征点缺陷的研究 |
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| 引用本文： | 张兴德,杨齐. 钼酸钙晶体中本征点缺陷的研究[J]. 上海理工大学学报, 2010, 32(1) |
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| 作者姓名： | 张兴德 杨齐 |
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| 作者单位： | 上海理工大学,光电信息与计算机工程学院,上海,200093 |
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| 摘 要： | ![]()
利用GULP软件计算了钼酸钙晶体中本征点缺陷的生成能和氧空位的迁移能,结果表明,钼酸钙晶体中主要存在的缺陷是氧空位和氧的夫伦克尔缺陷,氧空位的迁移能为0.4 eV,计算结果与实验结果相吻合.
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| 关 键 词： | 钼酸钙晶体 本征缺陷 模拟计算 |
Study on the intrinsic defects in CaMoO4 crystal |
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| ZHANG Xing-de,YANG Qi. Study on the intrinsic defects in CaMoO4 crystal[J]. Journal of University of Shanghai For Science and Technology, 2010, 32(1) |
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| Authors: | ZHANG Xing-de YANG Qi |
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| Abstract: | ![]()
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| Keywords: | |
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