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| 中子嬗变掺杂氢区熔硅电阻率恢复特性 | |
| 作者姓名： | 周继明 游志朴 |
| 作者单位： | 四川大学分析测试中心(周继明)，四川大学物理系(游志朴)，峨眉半导体材料厂(尹建华) |
| 摘 要： | 中子嬗变掺杂硅(NTD-Si)等时热退火特性的研究,国内开始于80年代初,到1986年,认为其规律已经基本清楚.但是1988年发现NTD直拉Si退火中电阻率的变化不同于以往的报道,还存在一种800—1000℃温区的中子辐照施主,因而必须进行不同于NTD区熔Si的退火处理.以往对于NTD区熔Si的辐照都选择了大致相同的 |
| 关 键 词： | 中子嬗变掺杂 硅 氢区熔硅 电阻率 |
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