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钛酸钡PTC热敏电阻陶瓷表面态浅析
引用本文:曹明贺,周东祥,龚树萍.钛酸钡PTC热敏电阻陶瓷表面态浅析[J].华中科技大学学报(自然科学版),2001,29(Z1):25-27.
作者姓名:曹明贺  周东祥  龚树萍
作者单位:华中科技大学电子科学与技术系
摘    要:就形成钛酸钡陶瓷PTC效应的表面态进行阐述,分析了在居里点(TC)以上由表面态和介电常数在共同作用下的电阻率猛增几个数量级的原因;同时对钛酸钡PTC热敏电阻陶瓷的表面态的组成进行研究,认为在钛酸钡PTC陶瓷中表面态主要由钡空位引起;提出一种直接测量表面态密度的方法.

关 键 词:钛酸钡PTC陶瓷    表面态    介电常数
文章编号:1000-8616(2001)1-0025-03
修稿时间:2000年2月21日

Study on the Trap State of BaTiO3 Semiconducting Ceramics
Cao Minghe Zhou Dongxiang Gong Shuping Dept. of Electronics Sci. & Tech.,HUST,Wuhan ,China..Study on the Trap State of BaTiO3 Semiconducting Ceramics[J].JOURNAL OF HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY.NATURE SCIENCE,2001,29(Z1):25-27.
Authors:Cao Minghe Zhou Dongxiang Gong Shuping Dept of Electronics Sci & Tech  HUST  Wuhan  China
Institution:Cao Minghe Zhou Dongxiang Gong Shuping Dept. of Electronics Sci. & Tech.,HUST,Wuhan 430074,China.
Abstract:The trap state of BaTiO 3 semiconducting ceramics that has a significant effect on the PTC effect is analyzed. Above the Curie temperature ( T C), the co interaction of the trap state and the dielectric constant on the resistivity jump are studied. A method of the state density measurement is also proposed.
Keywords:BaTiO  3 semiconducting ceramics  trap state  dielectric constant  
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