| BaSi_2电子结构及光学性质的第一性原理计算 |
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| 作者姓名： | 赵凤娟 谢泉 陈茜 杨创华 |
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| 作者单位： | 贵州大学新型光电子材料与技术研究所贵州大学理学院电子科学系; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:60566001);;高等学校博士学科点专项科研基金(编号:20050657003);;教育部留学回国科研基金(编号:教外司(2005)383);;贵州省优秀科技教育人才省长专项基金(编号:Z053114);;贵州省留学人员科技项目(编号:黔人项目(2004)03);;贵州省委组织部高层人才科研基金(编号:Z053123);;贵州大学研究生创新基金(编号:2006004)资助项目 |
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| 摘 要： | 采用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法,对正交相BaSi2的电子结构、态密度和光学性质进行了理论计算,能带结构计算表明它是一种间接带隙半导体,禁带宽度为1.086eV;其价带主要是由Si的3s,3p及Ba的5d态电子构成,导带主要由Ba的6s,5d及Si的3p态电子构成;静态介电函数ε1(0)=11.17;折射率n0=3.35;吸收系数最大峰值为2.15×105cm-1.
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| 关 键 词： | BaSi2 第一性原理 电子结构 光学性质 |
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