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| 硼化氮-石墨烯杂化单原子层电学性质的第一原理 | |
| 引用本文： | 安丽娟,庞志远.硼化氮-石墨烯杂化单原子层电学性质的第一原理[J].吉林大学学报(理学版),2013,51(6):1160-1163. |
| 作者姓名： | 安丽娟 庞志远 |
| 作者单位： | 天津科技大学 理学院, 天津 300457 |
| 摘 要： | 利用基于密度泛函理论的第一原理方法研究二维六方硼化氮片（h-BN） 石墨烯杂化单原子层的电学性质. 结果表明: 三角形h-BN嵌入石墨烯中或三角形石墨烯片嵌入二维h-BN中均会在能带结构导带和价带中间引入带间态, 带间态的形态与杂化方式有关； 半导体性与导体性质可相互转变, 即该杂化结构的电子结构可通过不同杂化形式调制. |
| 关 键 词： | 石墨烯 电子结构 第一原理 |
| 收稿时间： | 2012-12-17 |
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