| β-Ga2O3:Cr单晶体的浮区法生长及光学特性 |
| |
| 引用本文： | 夏长泰.β-Ga2O3:Cr单晶体的浮区法生长及光学特性[J].中国科学(E辑),2007,37(2):370-374. |
| |
| 作者姓名： | 夏长泰 |
| |
| 作者单位： | (1)中国科学院上海光学精密机械研究所 ,上海 201800 ,中国;(2)通用电气中国研究开发中心有限公司 ,上海 201203 ,中国;(3)中国科学院上海应用物理研究所 ,上海 201800 ,中国 |
| |
| 摘 要： | 利用浮区法生长得到β-Ga2O3:Cr单晶体，在室温下，测试了β-Ga2O3: Cr单晶体的吸收光谱和发射光谱。通过吸收光谱计算了晶体场分裂系数Dq和Racah系数，得到10Dq/B=23.14，表明Cr3+在β-Ga2O3晶体中处于较弱的晶体场。β-Ga2O3: Cr 单晶体经高温退火后Cr3+的发射明显加强，而绿光的发射减弱。采用420 nm波长激发，在691nm可以得到强而宽的特征发射，此发射对应于Cr3+的4T2→4A2跃迁。
|
| 关 键 词： | Cr 浮区法 调谐激光晶体 光谱 β-Ga2O3: |
| 收稿时间： | 2005-06-09 |
|
| 点击此处可从《中国科学(E辑)》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《中国科学(E辑)》下载免费的PDF全文 |
|
