| （GaAs）1（AlaS）1（111）超晶格能带结构的LMTO—ASA计算 |
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| 引用本文： | 吴孙桃 王仁智. （GaAs）1（AlaS）1（111）超晶格能带结构的LMTO—ASA计算[J]. 厦门大学学报(自然科学版), 1993, 32(3): 293-298 |
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| 作者姓名： | 吴孙桃 王仁智 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理学系(吴孙桃，王仁智)，厦门大学物理学系(黄美纯) |
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| 摘 要： | 用从头计算的LMTO-ASA方法计算(GaAs)_1(AlAs)_1(111)超晶格和体材料GaAs、AlA_3的能带结构,给出布里洲区对称点Γ、Z、D主要能带本征值的对称性标记和对应关系,结果表明,(GaAs)_1(AlAs)_1(111)能带与体材料能带有一定的对应转化关系,能带隙是直接能隙,在布里洲区Γ点。
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| 关 键 词： | 超晶格 能带结构 L－A法 |
LMTO-ASA Band Structure Calculation for (GaAs)_1(AlAs)_1(111) Superlattice |
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| Wu Suntao Wang Rcnzhi Huang Meichun. LMTO-ASA Band Structure Calculation for (GaAs)_1(AlAs)_1(111) Superlattice[J]. Journal of Xiamen University(Natural Science), 1993, 32(3): 293-298 |
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| Authors: | Wu Suntao Wang Rcnzhi Huang Meichun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | (GaAs)1(AlAs)1(111) superlattice Band structure calculation |
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