| LaNiO3底电极上Bi4Zr0.5Ti2.5O12薄膜的制备及性能 |
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| 引用本文： | 郭冬云,李美亚,刘军,裴玲,于本方,赵兴中,杨斌,王耘波,于军.LaNiO3底电极上Bi4Zr0.5Ti2.5O12薄膜的制备及性能[J].中国科学(E辑),2007,37(5):667-673. |
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| 作者姓名： | 郭冬云 李美亚 刘军 裴玲 于本方 赵兴中 杨斌 王耘波 于军 |
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| 作者单位： | 1. 武汉大学物理科学与技术学院,武汉,430072
2. 华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074 |
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| 摘 要： | 利用Sol-gel法在p-Si(111)衬底上制备了LaNiO3底电极, 再利用Sol-gel法在LaNiO3底电极上制备出Bi4Zr0.5Ti2.5O12(BZT)铁电薄膜, 对其微观结构和电学性能进行了研究. 利用X射线衍射仪、原子力显微镜和扫描电镜观测其微观结构, 发现制备的BZT薄膜具有单一的钙钛矿晶格结构, 并且薄膜表面晶粒尺寸均匀, 结晶情况良好. 对Pt/BZT/LaNiO3电容结构进行了铁电性能研究, 在测试电压为25 V时, 2Pr和2Vc分别达到28.2 μC/cm2和14.7 V; 经过1×1010次极化反转后, 剩余极化值下降了大约13%; 室温下, 在测试频率1 kHz时, 薄膜的介电常数为204, 介电损耗为0.029; 漏电流测试显示制备的BZT薄膜具有良好的绝缘性能; C-V曲线为顺时针方向回滞, 存储窗口大约为3.0 V, C-V特性测试显示这种Pt/BZT/LaNiO3结构有望实现极化型存储.
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| 关 键 词： | Sol-gel法 LaNiO3底电极 铁电性能 Bi4Zr0.5Ti2.5O12薄膜 |
| 收稿时间： | 2006-08-16 |
| 修稿时间： | 2006-08-162006-11-24 |
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