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| 应力下OsSi2电子结构和光学特性研究 | |
| 作者姓名： | 李旭珍 谢泉 陈茜 赵凤娟 崔冬萌 |
| 作者单位： | 贵州大学理学院;贵州大学新型光电子材料与技术研究所; |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:60766002);;贵州省优秀科技教育人才省长专项基金(编号:Z053114);;贵州省委组织部高层人才科研资助项目(编号:Z053123);;科技部国际合作专项(编号:2008DFA52210);;贵州省信息产业厅项目(编号:0831)资助 |
| 摘 要： | 采用基于第一性原理的密度泛函理论(Density Functional Theory)赝势法, 对各向同性形变下OsSi2的电子结构、态密度和光学性质进行了理论计算. 计算结果表明, 当晶格常数从96%, 100%, 104%依次进行各向同性形变时, OsSi2的带隙逐渐减小. 当晶格参数被压缩到原来的96%时, OsSi2的间接带隙值Eg=0.928 eV, 当晶格参数被拉伸到原来的104%时, OsSi2的间接带隙值Eg=0.068 eV. 其光学特性曲线向低能方向漂移, 晶格拉伸使得OsSi2的静态介电函数增大而压缩使其减小; 晶格压缩可以使其吸收响应增强, 进而提高光电转换效率. |
| 关 键 词： | OsSi2 第一性原理 应力 电子结构 光学特性 |
| 收稿时间： | 2009-08-18 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |