| Be等电子序列高激发态结构(J=0,1,2,偶宇称) |
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| 引用本文： | 郭心平,王治文.Be等电子序列高激发态结构(J=0,1,2,偶宇称)[J].吉林大学学报(理学版),1993(4). |
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| 作者姓名： | 郭心平 王治文 |
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| 作者单位： | 吉林大学原子与分子物理研究所，吉林大学原子与分子物理研究所 长春 130023，长春 130023 |
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| 基金项目： | 国家教委博士学科点专项科研，国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 本文应用本征通道量子亏损理论(EQDT)系统地研究了J=0,1,2,偶宇称Be等电子序列(BeI—SiⅪ)的高激发态结构.得到了描述高激发态结构的EQDT基本参量(μ,U_(i))以及它们随有效核电荷数增大的变化规律.以这些参量作为输入,获得了类Be体系2sns,2snd和2pnp(双激发态)组态的全部Rydberg能级及混合系数.计算结果表明,在高激发态,我们的理论结果与实验值相对误差在10~(-5)左右.
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| 关 键 词： | Be等电子序列 高激发态 本征通道量子亏损理论 |
Highly-excited State Structure of the Beryllium Isoelectronic Sequence whit J=0, 1 and 2 and Even Parity |
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| Guo Xinping,Wang Zhiwen.Highly-excited State Structure of the Beryllium Isoelectronic Sequence whit J=0, 1 and 2 and Even Parity[J].Journal of Jilin University: Sci Ed,1993(4). |
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| Authors: | Guo Xinping Wang Zhiwen |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | beryllium isoelectronic sequence highly-excited state eigenchannel quantum defect theory |
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