| 锗硅分子束外延层与衬底界面的电镜研究 |
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| 引用本文： | 邹赫麟,张翔九.锗硅分子束外延层与衬底界面的电镜研究[J].大连理工大学学报,1996,36(2):170-173. |
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| 作者姓名： | 邹赫麟 张翔九 |
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| 作者单位： | 大连理工大学物理系，复旦大学应用物理国家重点实验室 |
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| 基金项目： | 复旦大学应用表面物理国家重点实验室开放课题 |
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| 摘 要： | 使用分子束外延技术制和轩了应变锗硅外延薄膜，并在不同温度下对样品等时热退火处理；采用侧面透射电子显微镜对退火样品进行观测，获得有关高温退火后锗硅外延层与硅衬底界面的位错生长情况，采用高分辨电子显微镜观测样品退火以前的显微结构，表明样品在８５０℃退火温度时出现的位错生长是一种混合型热松弛机理。
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| 关 键 词： | 分子束外延 位错 锗硅合金 薄膜 界面 电镜 |
Study of boundary between Ge_xSi_1-xMBE layer and Si substrate by TEM |
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| Zou Helim, Li Jianjun, Wei Xiwen, Jin Xing, Wang Dehe.Study of boundary between Ge_xSi_1-xMBE layer and Si substrate by TEM[J].Journal of Dalian University of Technology,1996,36(2):170-173. |
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| Authors: | Zou Helim Li Jianjun Wei Xiwen Jin Xing Wang Dehe |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | molecular-beam epitaxy dislocation/thermal annealing thermal relaxation |
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