| 应变GaN/AlxGa1-xN柱形量子点中杂质态的结合能 |
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| 引用本文： | 张冬,闫祖威. 应变GaN/AlxGa1-xN柱形量子点中杂质态的结合能[J]. 内蒙古大学学报(自然科学版), 2010, 41(3) |
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| 作者姓名： | 张冬 闫祖威 |
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| 作者单位： | 1. 内蒙古大学物理科学与技术学院,呼和浩特,010021
2. 内蒙古大学物理科学与技术学院,呼和浩特,010021;内蒙古农业大学理学院,呼和浩特010018 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目,教育部科学技术研究重点资助项目 |
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| 摘 要： | 在有效质量近似下,利用变分原理研究了有限高应变GaN/AlxGa1-xN柱形量子点中杂质态的结合能,计算了结合能随量子点高度、半径和杂质位置的变化,讨论了应变对结合能的影响.数值计算表明,杂质态结合能随量子点半径的增大而减小,随量子点高度的增加将先增大到一极大值然后减小.当杂质位置在量子点中心时杂质态的结合能最大,且Al组分的增加使杂质态的结合能增大.研究还指出内建电场使得杂质态的结合能明显降低.
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| 关 键 词： | 量子点 类氢杂质 内建电场 结合能 |
Binding energy of the impurity state in a strain GaN/AlxGa1-xN cylindrical quantum dot |
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| ZHANG Dong,YAN Zu-wei. Binding energy of the impurity state in a strain GaN/AlxGa1-xN cylindrical quantum dot[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Neimongol, 2010, 41(3) |
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| Authors: | ZHANG Dong YAN Zu-wei |
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