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| 多功能磷化铟半导体材料的合成与表征 | |
| 作者姓名： | 高强 毛彩霞 薛丽 吴涛 胡永红 |
| 作者单位： | 1. 湖北科技学院资源环境科学与工程学院;2. 湖北科技学院电子与信息工程学院;3. 咸宁职业技术学院工学院 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(11747044);;湖北省教育厅科研计划项目(B2020153); |
| 摘 要： | 该文利用化学喷雾热解法,在773 K温度下,基于玻璃衬底沉积得到了磷化铟薄膜.进一步研究发现,磷化铟薄膜为立方相多晶,并且优先取向(111)方向,其直接带隙为1.50 eV.磷化铟薄膜呈现n型导电性,电阻率为5.18×103Ω·cm.因此,磷化铟薄膜材料在未来高频、大功率材料和光电子器件领域具有潜在应用. |
| 关 键 词： | 纳米结构 n型 立方结构 结构特性 电学特性 |