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固溶体技术用于AlN-SiC微波衰减材料改性
引用本文:步文博,丘泰,徐洁,李晓云,沈春英.固溶体技术用于AlN-SiC微波衰减材料改性[J].南京工业大学学报(自然科学版),2002,24(3):10-14.
作者姓名:步文博  丘泰  徐洁  李晓云  沈春英
作者单位:南京工业大学,材料科学与工程学院,江苏,南京,210009
基金项目:国防科工委重点科研项目
摘    要:结合AlN-SiC二元系相图的理论分析,提出了利用固溶体技术实现AlN-SiC微波衰减材料性能优化的研究思路;采用热压烧结工艺,通过合理的烧结温度及保温时间的控制,制备了性能优异的AlN-SiC微波衰减材料。通过XRD、SEM、网络分析仪等测试手段,研究了材料的显微结构(晶粒尺寸和晶粒形状等)对材料微波衰减性能的影响。结果表明,AlN-SiC局部固溶体具有广频衰减特性,而AlN-SiC均质固溶体具有选频衰减特性;并初步探讨了AlN-SiC固溶体陶瓷的微波衰减机理。

关 键 词:AlN  SiC  微波衰减  固溶体技术  半导体器件  优化改性  碳化硅  氮化铝  复相陶瓷
文章编号:1671-7643(2002)03-0010-05
修稿时间:2001年12月4日

Modification of microwave attenuation of AlN-SiC with solid solution technique
Abstract:
Keywords:AlN  SiC
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