| Al2O3/HfO2薄膜多值阻变存储特性 |
| |
| 引用本文： | 陈 浩,周海芳,赖云锋.Al2O3/HfO2薄膜多值阻变存储特性[J].福州大学学报(自然科学版),2022,50(5):621-626. |
| |
| 作者姓名： | 陈 浩 周海芳 赖云锋 |
| |
| 作者单位： | 福州大学物理与信息工程学院,福州大学物理与信息工程学院,福州大学物理与信息工程学院 |
| |
| 基金项目： | 福建省自然科学基金（项目编号：2019J01218）和中国福建光电信息科学与技术创新实验室（项目编号：2021ZR145） |
| |
| 摘 要： | 采用磁控溅射和金属剥离工艺制备了结构为p-Si/HfO2/Ti和p-Si/HfO2/Al2O3/Ti的阻变存储器。两器件均表现出双极性电阻转变特性。插入的Al2O3层使得高阻态导电机制从空间电荷限制电流导电向肖特基发射控制导电转变，器件高低阻态阻值比从~61倍提高到了惊人的2.15×10^8倍。通过限制set电流的方式实现了多值存储，器件的四个阻态都能够非常稳定地在85 ℃高温下保持10^4 s，有利于多值存储的实际应用。
|
| 关 键 词： | 阻变存储器 氧化铪 氧化铝 双层 开关比 多值 |
| 收稿时间： | 2021/11/22 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2022/1/8 0:00:00 |
Multi-level resistive switching memory with Al2O3/HfO2 thin film |
| |
| CHEN Hao,ZHOU Haifang,LAI Yunfeng.Multi-level resistive switching memory with Al2O3/HfO2 thin film[J].Journal of Fuzhou University(Natural Science Edition),2022,50(5):621-626. |
| |
| Authors: | CHEN Hao ZHOU Haifang LAI Yunfeng |
| |
| Institution: | College of Physics and Information Engineering,College of Physics and Information Engineering,College of Physics and Information Engineering |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | resistive random access memory hafnium oxide aluminium oxide bilayer on/off ratio multi-level |
|
| 点击此处可从《福州大学学报(自然科学版)》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《福州大学学报(自然科学版)》下载免费的PDF全文 |
