| 加场极板LDMOS的击穿电压的分析 |
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| 引用本文： | 吴秀龙,孟坚,陈军宁,柯导明,时龙兴,孙伟锋. 加场极板LDMOS的击穿电压的分析[J]. 安徽大学学报(自然科学版), 2004, 28(1): 49-52 |
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| 作者姓名： | 吴秀龙 孟坚 陈军宁 柯导明 时龙兴 孙伟锋 |
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| 作者单位： | 1. 安徽大学,电子工程与信息科学学院,安徽,合肥,230039
2. 东南大学,ASIC工程技术中心,江苏,南京,210096 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)，安徽省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 在LDMOS中加入电场控制极板是一种有效的提高其击穿电压的方法,本文分析了PDP选址驱动芯片的LDMOS场极板对其漏击穿电压的影响,指出了场极板的分压作用和场极板边缘效应对击穿电压的影响,给出击穿电压的计算公式,计算结果与实验能够吻合,说明了给出的公式是正确的。
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| 关 键 词： | 场极板 LDMOS 击穿电压 |
| 文章编号： | 1000-2162(2004)01-0049-04 |
Analysis of LDMOS breakdown voltage after using field plate |
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| WU Xiu-long,MENG Jian,KE Dao-ming,CHEN Jun-ning,SHI Long-xing,SUN Wei-feng. Analysis of LDMOS breakdown voltage after using field plate[J]. Journal of Anhui University(Natural Sciences), 2004, 28(1): 49-52 |
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| Authors: | WU Xiu-long MENG Jian KE Dao-ming CHEN Jun-ning SHI Long-xing SUN Wei-feng |
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| Affiliation: | WU Xiu-long~1,MENG Jian~1,KE Dao-ming~1,CHEN Jun-ning~1,SHI Long-xing~2,SUN Wei-feng~2 |
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| Abstract: | In order to improve the breakdown voltage of LDMOS, the field plate structure is an effective method. This paper analyses how the field plate work on LDMOS in PDP data driver, point out the reduction voltage and edge effect, give the breakdown voltage model of LDMOS after using field plate. Experimental data are shown in good agreement with the result of this model. |
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| Keywords: | LDMOS |
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