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| 磁调控对硅烯器件光电输运性质的影响 | |
| 作者姓名： | 商晓菲 曹如凤 薛俊 李月君 周艳红 |
| 作者单位： | (华东交通大学理学院,江西 南昌 330013) |
| 摘 要： | 基于第一性原理方法,该文研究了硅烯器件对外部磁场的响应及其光电输运性质.根据左右电极自旋磁构型特点,构建了2种硅器件结构:左右电极磁矩方向平行的P构型和磁矩方向反平行的AP构型.研究发现:通过调节磁场,器件电子透射率可以在导电态和绝缘态之间切换.此外,这2种器件在光学伽伐尼效应下获得了不同的光电流.在AP构型中,纯自旋流既不依赖于光子的能量,也不受入射光偏振角影响,而P构型则不是.通过调整轨道对称性实现电导切换以及通过磁场调制产生纯自旋流的方法可以用于硅烯电子器件的设计. |
| 关 键 词： | 光学伽伐尼效应 空间反演对称性 轨道对称性 自旋密度 |
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