| 室温溅射沉积ZnO:Al薄膜的工艺 |
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| 引用本文： | 黄佳木,董建华,张兴元.室温溅射沉积ZnO:Al薄膜的工艺[J].重庆大学学报(自然科学版),2004,27(4):97-99. |
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| 作者姓名： | 黄佳木 董建华 张兴元 |
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| 作者单位： | 重庆大学材料科学与工程学院，重庆大学材料科学与工程学院，重庆大学材料科学与工程学院 重庆 400030，重庆 400030，重庆 400030 |
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| 摘 要： | ZnO:Al薄膜是一种N型宽带隙半导体材料,由于其大的载流子浓度和光学禁带宽度而表现出优良的光电特性.采用射频磁控溅射工艺,在室温下用氧化锌铝陶瓷靶(3wt%Al2O3)溅射沉积透明导电ZnO:Al薄膜,研究了各工艺参数,如氧流量、工作气压和射频功率对其光电特性的影响.实验结果表明:通氧量与靶材中含氧比例存在紧密联系,本实验在氧流量为0 sccm,射频功率400 W,Ar气为0.7 Pa,溅射时间为2.5 h的条件下,制备的ZAO薄膜最小方块电阻为65Ω/□,薄膜表面略显黄色.
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| 关 键 词： | ZnO:Al薄膜 磁控溅射 光电特性 室温 溅射沉积 薄膜表面 工艺参数 Room Temperature RF Magnetron Sputtering 方块电阻 最小 条件 时间 sccm 联系 存在 比例 靶材 氧量 结果 实验 影响 射频功率 |
| 文章编号： | 1000-582X(2004)04-097-03 |
| 修稿时间： | 2003年12月24日 |
ZnO:Al Films Prepared by RF Magnetron Sputtering at Room Temperature |
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| HUANG Jia-mu,DONG Jian-hu,ZHANG Xing-yuan.ZnO:Al Films Prepared by RF Magnetron Sputtering at Room Temperature[J].Journal of Chongqing University(Natural Science Edition),2004,27(4):97-99. |
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| Authors: | HUANG Jia-mu DONG Jian-hu ZHANG Xing-yuan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnO:Al film RF magnetron sputtering optical and electrical properties |
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