|
|||||
|
|
| N_2O氮化n-MOSFET's低温可靠性研究 | |
| 引用本文： | 徐静平,于军.N_2O氮化n-MOSFET's低温可靠性研究[J].华中科技大学学报(自然科学版),1999(12). |
| 作者姓名： | 徐静平 于军 |
| 作者单位： | 华中理工大学电子科学与技术系 |
| 摘 要： | 通过与热氧化ｎ－ＭＯＳＦＥＴ’ｓ 比较，调查了Ｎ２ Ｏ氮化 （Ｎ２ＯＮ） ｎ－ＭＯＳＦＥＴ’ｓ 在最大衬底电流ＩＢ ｍ ａｘ和最大栅电流ＩＧ ｍ ａｘ 应力下的低温热载流子效应．结果表明，Ｎ２ＯＮ 器件在低温就像在室温一样呈现出大大抑制的热载流子应力感应退化的特性；低温下产生的浅能级陷阱增强了器件的退化，Ｎ２ Ｏ 的氮化也大大减少了浅能级陷阱的产生． |
| 关 键 词： | MOSFEF's N_2O氮化 热载流子效应 低温 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |