| 用结恢复电流研究a-Si:H p~+-i-n~+结构的缺陷 |
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| 引用本文： | 李福德,张青. 用结恢复电流研究a-Si:H p~+-i-n~+结构的缺陷[J]. 西安理工大学学报, 1991, 0(3) |
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| 作者姓名： | 李福德 张青 |
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| 作者单位： | 陕西机械学院自动化系，中科院半导体研究所 |
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| 摘 要： | 本文采用多次陷落模型,用结恢复电流技术研究了a—Si:H太阳电池长时间光照后的光致变化效应。发现光照之后的太阳电池比光照前空穴迁移率和寿命的乘积有明显下降,而且光致亚稳缺陷主要起复合中心的作用。
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| 关 键 词： | 氢化非晶硅 SW效应 结恢复电流 |
The Defect in Hydrogenated Amorphous Silicon Solar Cells Investigated by Junction Recovery Current Technique |
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| Li Fude,zhang qing. The Defect in Hydrogenated Amorphous Silicon Solar Cells Investigated by Junction Recovery Current Technique[J]. Journal of Xi'an University of Technology, 1991, 0(3) |
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| Authors: | Li Fude zhang qing |
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| Affiliation: | Li Fude;zhang qing |
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| Keywords: | a-si: H Staebler-Wronski effect Junction Recovery Current |
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