| 离子液体中硅锗膜共沉积过程的反应特性 |
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| 作者姓名： | 于兆亮 李忠跃 李维岩 李季 孟祥东 李海波 |
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| 作者单位： | 1. 吉林师范大学 材料物理与化学教育部重点实验室, 吉林 四平 136000; 2. 吉林大学 无机合成与制备化学国家重点实验室, 长春 130012 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金,教育部科学技术研究项目,中国博士后科学基金 |
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| 摘 要： | 采用电沉积法,在[EMIm]Tf2N离子液体中选取恒电位制备SiGe膜.为考察SiGe在工作电极表面的反应特性,在[EMIm]Tf2N离子液体中测试不同扫描速率下的循环伏安(CV)曲线,并利用扫描电镜和能谱分析研究SiGe膜的表面形貌和组分.结果表明,[EMIm]Tf2N离子液体中SiGe的共沉积是受扩散控制的非可逆电极过程;在该离子液体中,SiGe共沉积的平均阴极传递系数α=0.175,扩散系数D0=6.64×10-7 m/s.
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| 关 键 词： | 离子液体 硅锗 共沉积 扫描速率 循环伏安 |
| 收稿时间： | 2013-12-30 |
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