用正电子研究Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体的缺陷谱

简要介绍了本科研组近年来用正电子湮没谱学研究Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体缺陷的最新进展，包括原生样品中缺陷的种类、大小、电荷态、负离子缺陷、缺陷与杂质的相互作用、辐照以及形变引入的缺陷等，研究表明，在原生半导体材料中存在各种缺陷，经过辐照和璩 变化有单空位、双空位及孔洞形成；在重掺杂材料中，空位还补偿载流子，使载流子发生饱和。