| 两步法工艺制备GaN纳米晶 |
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| 引用本文： | 张华,魏芹芹.两步法工艺制备GaN纳米晶[J].山东理工大学学报,2007,21(2):4-6. |
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| 作者姓名： | 张华 魏芹芹 |
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| 作者单位： | 山东理工大学材料科学与工程学院 山东淄博255049(张华)，山东理工大学电气与电子工程学院 山东淄博255049(魏芹芹) |
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| 摘 要： | 采用先在Si(111)衬底上磁控溅射制备Ga2O3,然后在氨气气氛中退火氨化的方法制备了一维GaN纳米晶结构.通过对不同温度下氨化生长的GAN纳米晶的扫描电子显微镜(SEM)观察,确定了氨化生长一维GaN纳米晶的最佳制备温度为950℃.用X射线衍射(XRD)分析了硅片上的纳米晶成分,并用高分辨电镜(HRTEM)观察了该实验条件下生长的一维GaN纳米晶的微观结构.
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| 关 键 词： | 氮化镓 纳米晶 两步法工艺 退火氨化 磁控溅射 |
| 文章编号： | 24311440 |
| 修稿时间： | 04 19 2006 12:00AM |
Preparation of GaN nano-crystal using two-step method |
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| ZHANG Hua,WEI Qin-qin.Preparation of GaN nano-crystal using two-step method[J].Journal of Shandong University of Technology:Science and Technology,2007,21(2):4-6. |
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| Authors: | ZHANG Hua WEI Qin-qin |
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| Institution: | 1. School of Materials Science and Engineering, Shandong University of Technology, Zibo 255049,China;2. School of Electrical and Electric Engineering, Shandong University of Technology, Zibo 255049, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN nano-crystal annealing in NH3 two-step method magnetron sputtering |
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