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RuO2/Pt复合电极对BST梯度薄膜介电性能的影响
引用本文:项超,王今朝.RuO2/Pt复合电极对BST梯度薄膜介电性能的影响[J].湖北大学学报(自然科学版),2008,30(4).
作者姓名:项超  王今朝
作者单位:湖北大学材料科学与工程学院,湖北武汉430062
摘    要:采用直流磁控溅射方法在Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备RuO2/Pt复合电极,研究在复合电极上沉积的BST薄膜的微观结构及其对BST梯度薄膜电学性能的影响.实验结果表明:沉积在RuO2/Pt复合电极上的BST梯度薄膜在测试频率为100kHz时,介电常数为324.8,介电损耗为0.0189在75kV/cm外电场下漏电流密度为1.29×10^-6A/cm^2;在Pt电极和RuO2/Pt复合电极上分别制备的BST薄膜的介电损耗和漏电流基本上相似,没有太大的区别.但在375kV/cm外电场下RuO2/Pt复合电极上沉积的BST的介电调谐率为31.2%,比直接沉积在Pt上的BST的介电调谐率高7.4%,显示出较好的C—V特性.

关 键 词:复合电极  BST薄膜  磁控溅射  介电性  漏电流密度

The effect of bottom hyrid electrode on the electric properties of the BST thin-films by magnetron sputtering
XIANG Chao,WANG Jin-zhao.The effect of bottom hyrid electrode on the electric properties of the BST thin-films by magnetron sputtering[J].Journal of Hubei University(Natural Science Edition),2008,30(4).
Authors:XIANG Chao  WANG Jin-zhao
Abstract:
Keywords:
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