| 0.5 MeV质子对玻璃盖片未完全覆盖GaAs/Ge太阳电池的影响 |
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| 引用本文： | 王荣,郭增良.0.5 MeV质子对玻璃盖片未完全覆盖GaAs/Ge太阳电池的影响[J].北京师范大学学报(自然科学版),2002,38(6):764-767. |
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| 作者姓名： | 王荣 郭增良 |
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| 作者单位： | 1. 北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京师范大学低能核物理研究所,北京市辐射中心,100875,北京;2. 信息产业部第18研究所,300381,天津 |
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| 基金项目： | 教育部重点实验室基金;; |
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| 摘 要： | 用注量为1.2×1012～1.2×1013 cm-2的低能量(0.5 MeV)质子辐照空间实用GaAs/Ge太阳电池,电池被覆盖有4种情况:100%玻璃覆盖,5%部分无玻璃覆盖有封胶,5%部分无玻璃覆盖无封胶,100%无玻璃覆盖.研究表明,电池性能衰降随着质子辐照注量的增加而增大,但性能参数I sc和U oc衰降程度4种覆盖情况是不同的:100%覆盖,电池性能衰降最弱;5%部分无玻璃覆盖有封胶,性能衰降较弱;5%部分无玻璃覆盖无封胶,衰降较强;100%无覆盖性能衰降最大.研究还表明,相同的质子辐照注量引起的Isc衰降变化比Uoc变化显著;未覆盖部分仅占5%,也会引起电池性能明显衰降.
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| 关 键 词： | GaAs/Ge太阳电池 质子辐照 |
| 修稿时间： | 2002年6月27日 |
0.5 MeV PROTON IRRADIATION EFFECTS ON GaAs/Ge SOLAR CELLS COVERED WITH DIFFERENT GLASS AREA |
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| Wang Rong,Guo Zengliang.0.5 MeV PROTON IRRADIATION EFFECTS ON GaAs/Ge SOLAR CELLS COVERED WITH DIFFERENT GLASS AREA[J].Journal of Beijing Normal University(Natural Science),2002,38(6):764-767. |
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| Authors: | Wang Rong Guo Zengliang |
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| Institution: | Wang Rong 1) Guo Zengliang 2) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaAs/Ge solar cell proton irradiation |
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