| Pd/Pt修饰的AlGaN/GaN HEMT器件氢传感特性研究 |
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| 引用本文： | 杨勇强,张贺秋,薛东阳,梁红伟,夏晓川,徐瑞良,梁永凤,韩永坤,陈帅昊.Pd/Pt修饰的AlGaN/GaN HEMT器件氢传感特性研究[J].大连理工大学学报,2021,61(5):531-536. |
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| 作者姓名： | 杨勇强 张贺秋 薛东阳 梁红伟 夏晓川 徐瑞良 梁永凤 韩永坤 陈帅昊 |
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| 作者单位： | 大连理工大学 微电子学院,辽宁 大连 116620 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(119752571167519812075045118750976157402661774072)；中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(DUT20RC(3)042DUT19RC(3)074DUT19LK45)；大连市科技创新基金资助项目(2018J12GX060). |
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| 摘 要： | 制备了Pd/Pt修饰的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件.对器件的氢传感特性测试表明,Pd/Pt合金修饰的器件的氢响应和响应(恢复)速率要优于Pd和Pt单独修饰的器件,Pd和Pt质量比为2 mg∶1 mg的氢传感器具有最佳的氢传感性能.对吸附平衡的稳态分析进一步证实了这一结论.室温下氢体积分数为0.1%,氢气通入流速为200 mL/min时,Pd/Pt(2 mg∶1 mg)样品的电流变化为0.249 mA,响应时间和恢复时间分别为41 s和42 s.此外,测试温度增加到55℃也进一步提高了器件对氢气的响应和响应速率.
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| 关 键 词： | AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管 Pd/Pt合金 氢传感器 氢吸附 |
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