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还原反应法制备的Fe3O4薄膜的结构和磁性
引用本文:李立伟,邱红梅,赵雪丹,徐美,秦良强.还原反应法制备的Fe3O4薄膜的结构和磁性[J].中央民族大学学报(自然科学版),2006,15(4):325-329,338.
作者姓名:李立伟  邱红梅  赵雪丹  徐美  秦良强
作者单位:北京科技大学物理系,北京,100083
摘    要:本文采用还原反应法1],在Ar H2气体氛围中,射频磁控溅射制备Fe3O4薄膜.薄膜沉积在室温的100]热氧化硅基体上,对薄膜样品进行X射线衍射(XRD)和电阻率(ρ)测量,结果显示在H2:Ar=γ=2%,或3%时薄膜的成分完全是Fe3O4,并且具有沿111]方向取向生长的特性.对薄膜(γ=3%)进一步研究,发现该薄膜的表面成分为Fe3O4;在120K附近发生Verwey转变,其导电机制以电子的变程跳跃(VRH)为主;饱和磁化强度为440emu/cm3;在5特斯拉的外场中有4.6%的室温磁电阻.

关 键 词:还原反应  Fe3O4薄膜  Verwey转变  磁性
文章编号:1005-8036(2006)04-0325-05
收稿时间:2006-04-20
修稿时间:2006-04-20

Fabrication and Magnetic Properties of Magnetite Thin Films Deposited by Reduction-reactive Sputtering
LI Li-wei,QIU Hong-mei,ZHAO Xue-dan,XU Mei,QIN Liang-qiang.Fabrication and Magnetic Properties of Magnetite Thin Films Deposited by Reduction-reactive Sputtering[J].Journal of The Central University for Nationalities(Natural Sciences Edition),2006,15(4):325-329,338.
Authors:LI Li-wei  QIU Hong-mei  ZHAO Xue-dan  XU Mei  QIN Liang-qiang
Institution:Department of Physics, University of Science and Technology Beijing. Beijing 100083, China
Abstract:
Keywords:reduction-reactive sputtering  magnetite thin films  Verwey transition  magnetic property
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