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复合结构静电感应晶体管的终端造型
引用本文:朱筠,李思渊.复合结构静电感应晶体管的终端造型[J].科技信息,2011(25):I0011-I0012.
作者姓名:朱筠  李思渊
作者单位:西安邮电学院电子工程学院;兰州大学微电子研究所;
基金项目:甘肃省攻关项目(GS012.A52-064)
摘    要:为了克服几何形状(曲率效应)造成的边角电场对平面扩散结击穿性能的劣化效应,对应于静电感应器件的复合结构,采用限场环与切断环作为终端造型,使结边界处的耗尽层宽度反窄化效应而展宽,以分散电力线并降低表面电场。

关 键 词:复合结构SIT  限场环  切断环
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